### 產品簡介：
16N65M5-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術，由VBsemi生產。這款MOSFET具有高漏極-源極電壓（VDS）和較低的導通電阻（RDS(ON)），適用于各種要求高性能和可靠性的高壓應用。
### 詳細參數說明：
- **封裝：** TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±30V
- **Vth（門閾電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 160mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 20A
### 應用領域和模塊舉例：
1. **電源轉換器：** 16N65M5-VB適用于高效率的電源轉換器模塊，如服務器電源、通信設備和工業電源。
2. **電動汽車充電樁：** 這款MOSFET可以用于電動汽車充電樁中的開關電源，其高漏極-源極電壓和漏極電流能夠支持快速充電和高效率。
3. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中，16N65M5-VB可以用作高性能的開關器件，提供穩定的電能轉換。
以上只是16N65M5-VB可能應用的幾個例子，實際應用取決于具體的設計和要求。
