### 產品簡介

**型號：16N60E-VB**

16N60E-VB是VBsemi公司生產的單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。該產品具有高耐壓性和低導通電阻，適用于高壓、高電流的開關電源和驅動電路。采用Plannar技術，提供可靠的性能和穩定性。

### 參數說明

- **封裝形式**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：30V（±）
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術**：Plannar

### 適用領域和模塊

16N60E-VB MOSFET在多個領域和模塊中有廣泛的應用，例如：

1. **電源開關**
  - 該MOSFET適用于高壓電源開關模塊，如電源適配器和開關電源，可提供可靠的電源控制和高效的電能轉換。

2. **電動車充電器**
  - 在電動車充電器中，16N60E-VB可以用作開關元件，支持高電壓和高電流，確保充電器的安全性和穩定性。

3. **照明應用**
  - 該MOSFET也適用于LED照明驅動電路，能夠提供高效的能量轉換和穩定的電流輸出，延長LED燈的使用壽命。

4. **工業控制**
  - 在工業控制領域，16N60E-VB可用于開關電源和驅動電路，支持高電壓和高電流的應用，如工業自動化設備和電機控制。

5. **太陽能逆變器**
  - 在太陽能逆變器中，該MOSFET可以用于直流到交流的轉換，保證太陽能系統的高效率和穩定性。

通過以上應用示例可以看出，16N60E-VB MOSFET由于其高性能和可靠性，在多個領域和模塊中都有重要的作用，是許多電子系統中不可或缺的關鍵組件。