### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的16N50H-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET，設(shè)計用于承受最大550V的漏極-源極電壓（VDS）。這款MOSFET具有30V（±）的柵極-源極電壓（VGS）和3V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時，其導(dǎo)通電阻RDS(ON)為260mΩ，并且具有18A的漏極電流（ID）。

### 參數(shù)說明

- **封裝**：TO220F
- **構(gòu)型**：單N溝道
- **最大漏極-源極電壓**：550V
- **柵極-源極電壓**：30V（±）
- **閾值電壓**：3V
- **導(dǎo)通電阻**：260mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流**：18A
- **技術(shù)**：平面

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源開關(guān)**：由于16N50H-VB具有較高的漏極-源極電壓和較低的導(dǎo)通電阻，適用于電源開關(guān)模塊，能夠提供高效的功率開關(guān)控制。

2. **照明電源**：在照明電源中，這款MOSFET可以用于高壓LED驅(qū)動電路，幫助實現(xiàn)高效的照明系統(tǒng)設(shè)計。

3. **電動工具**：在工業(yè)電動工具中，16N50H-VB可以用作電機的開關(guān)元件，幫助實現(xiàn)高功率和高效率的電動工具設(shè)計。

4. **太陽能逆變器**：用于太陽能逆變器中的開關(guān)電源和逆變器控制，可實現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換。

5. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可以用于高壓直流充電樁的功率控制，提高充電效率。

以上是對16N50H-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的語段形式說明。