--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
16N50E-VB是一款單N溝道MOSFET,由VBsemi生產,采用平面(Plannar)技術。這款MOSFET適用于各種高壓應用,具有較高的漏極-源極電壓(VDS)和較低的導通電阻(RDS(ON)),能夠在要求高性能和可靠性的應用中發揮作用。
### 詳細參數說明:
- **封裝:** TO220F
- **VDS(漏極-源極電壓):** 550V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth(門閾電壓):** 3V
- **RDS(ON)(導通電阻):** 260mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 18A

### 應用領域和模塊舉例:
1. **電源供應器:** 16N50E-VB適用于高壓電源供應器模塊,如電視機、電腦顯示器和LED照明系統中的開關電源。
2. **電動汽車充電樁:** 這款MOSFET可以用于電動汽車充電樁中的開關電源,其高漏極-源極電壓和漏極電流能夠支持快速充電和高效率。
3. **工業控制系統:** 16N50E-VB可用于工業控制系統中的電源開關和逆變器,其高性能和可靠性使其成為工業應用的理想選擇。
這些領域和模塊只是16N50E-VB可能應用的幾個例子,具體應用取決于設計要求和環境條件。
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