### 16N50C3-VB TO220F 產品簡介
VBsemi的16N50C3-VB TO220F是一款高性能單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，具有較高的漏源電壓和較低的導通電阻。這款MOSFET適用于高壓高功率的電源管理和開關應用。
### 產品詳細參數說明
- **型號**：16N50C3-VB TO220F
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：550V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：260mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：18A
- **技術**：Plannar
### 應用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**：
16N50C3-VB TO220F適用于電源逆變器中的高壓開關模塊。其高漏源電壓和較低的導通電阻能夠確保在高功率轉換過程中保持系統的穩定性和效率。
2. **工業高壓電源**：
在工業設備和高壓電源系統中，16N50C3-VB TO220F可以用作開關器件，用于控制和管理電源。其高漏源電壓和較低的導通電阻使其成為這些應用的理想選擇。
3. **光伏逆變器**：
在光伏逆變器中，16N50C3-VB TO220F可以用于直流到交流電的轉換。其高漏源電壓和較低的導通電阻有助于提高逆變器的效率和性能。
4. **電動汽車充電樁**：
在電動汽車充電樁中，16N50C3-VB TO220F可用作充電樁控制模塊的功率開關器件。其高漏源電壓和較低的導通電阻能夠確保充電過程的高效率和穩定性。
通過以上應用示例可以看出，16N50C3-VB TO220F具有在高壓高功率場景下穩定可靠的特點，適用于多種電源管理和開關控制應用。
