### 產品簡介
**16DN25NS3-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品采用DFN8（5x6）封裝，具有高壓、高電流承載能力，適用于要求高可靠性和高效率的功率控制電路。16DN25NS3-VB MOSFET采用Trench技術制造，具有優異的導通特性和穩定性。
### 詳細參數說明
- **型號**：16DN25NS3-VB
- **封裝**：DFN8（5x6）
- **配置**：單N溝道
- **最大漏源電壓（VDS）**：250V
- **最大柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：42mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：35A
- **技術**：Trench
### 適用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**：
16DN25NS3-VB適用于工業和家用電源逆變器中的功率開關控制。其高漏源電壓和電流承載能力，使其能夠在高功率應用中提供可靠的性能。
2. **太陽能逆變器**：
在太陽能發電系統中，16DN25NS3-VB可用于逆變器的DC-AC轉換電路中。其高效率和高可靠性，有助于提高太陽能系統的整體性能。
3. **電動汽車充電樁**：
該MOSFET適用于電動汽車充電樁中的功率開關控制。其高漏源電壓和電流承載能力，能夠滿足電動汽車快速充電的需求。
4. **工業電機控制**：
在工業電機控制系統中，16DN25NS3-VB可用于電機驅動器的功率開關控制。其高效率和高可靠性，有助于提高工業生產設備的性能和可靠性。
16DN25NS3-VB以其高壓、高電流承載能力和穩定性，適用于多種高功率應用場景，是功率控制電路設計的理想選擇。
