### 產品簡介

VBsemi的16CNE8N-VB是一款TO263封裝的單N溝道MOSFET，設計用于承受最大80V的漏極-源極電壓（VDS）。這款MOSFET具有20V（±）的柵極-源極電壓（VGS）和3V的閾值電壓（Vth），在不同的VGS下，其導通電阻RDS(ON)為10mΩ（@VGS=4.5V）和6mΩ（@VGS=10V），并且具有120A的漏極電流（ID）。

### 參數說明

- **封裝**：TO263
- **構型**：單N溝道
- **最大漏極-源極電壓**：80V
- **柵極-源極電壓**：20V（±）
- **閾值電壓**：3V
- **導通電阻**：10mΩ @ VGS=4.5V，6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流**：120A
- **技術**：溝道

### 適用領域和模塊

1. **電源模塊**：由于16CNE8N-VB具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力，適用于電源模塊中的開關電源和逆變器，能夠提供可靠的功率轉換。

2. **電動工具**：在電動工具中，這款MOSFET可以用作驅動電機的開關元件，幫助實現高效率和高功率的電動工具設計。

3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，16CNE8N-VB可以用于電動汽車的電動驅動系統，提供高效的功率控制和轉換。

4. **工業控制**：用于工業控制系統中的開關電源和電機控制，可實現穩定可靠的功率傳輸和控制。

5. **電源適配器**：在電源適配器中，這款MOSFET可以用于高效能的開關電源設計，提高能源利用率并減少能源損耗。

以上是對16CNE8N-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式說明。