### 165N10F4-VB TO220 MOSFET 產品簡介

**產品簡介：**

VBsemi的165N10F4-VB TO220是一款高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用先進的溝槽技術制造。它具有較低的導通電阻（RDS(ON)），高電流處理能力和耐壓特性，適用于多種電源管理和功率轉換應用。

### 165N10F4-VB TO220 詳細參數說明

**封裝類型：** TO220  
**配置：** 單N溝道  
**漏源電壓 (VDS)：** 100V  
**柵源電壓 (VGS)：** 20（±V）  
**閾值電壓 (Vth)：** 3V  
**導通電阻 (RDS(ON))：** 5mΩ@VGS=10V  
**漏極電流 (ID)：** 120A  
**技術：** 溝槽

### 165N10F4-VB TO220 適用領域和模塊

**應用領域：**

1. **電源管理系統：** 
  - 該MOSFET可用于開關電源（SMPS）和不間斷電源（UPS），由于其高電流處理能力和低導通電阻，能有效提高系統的效率和可靠性。

2. **汽車電子：**
  - 適用于電動汽車的電機驅動和電池管理系統。其高耐壓和大電流特性，使其能夠滿足汽車電子中高性能和高可靠性的需求。

3. **太陽能逆變器：**
  - 在太陽能光伏系統中，165N10F4-VB可用于逆變器電路，幫助將直流電轉換為交流電，支持高效的能量轉換和系統穩定性。

4. **工業控制：**
  - 用于各種工業控制系統中的功率轉換模塊，如變頻器和伺服驅動器，提供高效的電流控制和系統響應。

5. **消費電子：**
  - 適用于大功率LED驅動器、智能家居設備和其他需要高效功率管理的電子設備，提供穩定的性能和高能效。

通過這些應用實例，可以看出165N10F4-VB TO220 MOSFET在多個領域和模塊上都能提供卓越的性能和可靠性，滿足不同應用場景的需求。