### 產品簡介
**165N04N-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品采用DFN8（3x3）封裝，具有優越的性能參數，適用于高效能和高可靠性的電源管理系統。165N04N-VB MOSFET的主要特點包括低導通電阻（RDS(ON)）和高電流承載能力，適用于多種工業和消費類應用。
### 詳細參數說明
- **型號**：165N04N-VB
- **封裝**：DFN8（3x3）
- **配置**：單N溝道
- **最大漏源電壓（VDS）**：40V
- **最大柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：40A
- **技術**：Trench
### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**：
165N04N-VB在電源管理系統中表現優異。它的低導通電阻和高電流承載能力使其適用于高效直流-直流轉換器和逆變器。由于其低導通電阻，可以減少能量損耗，提高整體系統效率。
2. **汽車電子**：
在汽車電子領域，165N04N-VB可用于電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統（BMS）和電動助力轉向（EPS）系統。其高電流承載能力和耐高壓特性，確保在惡劣的環境條件下穩定運行。
3. **消費電子**：
該MOSFET適用于高性能消費電子產品，如筆記本電腦和智能手機的充電器和電源適配器。其小封裝尺寸和低導通電阻使其能夠集成到緊湊的電路板設計中，提供可靠的電源解決方案。
4. **工業控制**：
在工業控制領域，165N04N-VB適用于電機驅動和電源調節器等應用。其高電流承載能力和耐用性，能夠滿足工業環境中的高要求，確保設備的長期穩定運行。
165N04N-VB以其卓越的性能和廣泛的應用范圍，成為電源管理和電流控制領域的理想選擇。
