### 15P10GS-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi 15P10GS-VB 是一款單P溝道MOSFET，采用Trench技術制造，具有負向漏源電壓能力和低導通電阻。該器件封裝為TO263，適用于需要高性能和可靠性的負向電壓轉換和控制應用。

### 15P10GS-VB MOSFET 參數說明

- **型號**: 15P10GS-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 50mΩ @ VGS=4.5V
 - 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -37A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **功率因數校正模塊**:
  - **應用**: 用于功率因數校正電路中的開關和調節器。
  - **優勢**: 負向漏源電壓能力和低導通電阻，提供高效的功率因數校正功能。

2. **逆變器模塊**:
  - **應用**: 適用于逆變器和變頻器中的開關和調節器。
  - **優勢**: 高性能和可靠性，確保逆變器在不同負載條件下穩定工作。

3. **電動汽車充電樁模塊**:
  - **應用**: 用于電動汽車充電樁中的開關和控制器。
  - **優勢**: 負向漏源電壓能力和低導通電阻，提供高效的電動汽車充電功能。

4. **照明控制模塊**:
  - **應用**: 適用于LED照明系統中的開關和調光器。
  - **優勢**: 高性能和可靠性，確保LED照明系統的穩定和節能運行。

VBsemi 的 15P10GS-VB MOSFET 通過其高性能和多功能性，為各種負向電壓轉換和控制應用提供了可靠的解決方案。