--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 15N80K5-VB MOSFET 產品簡介
VBsemi 15N80K5-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術制造,具有高電壓承受能力和低導通電阻。該器件封裝為TO247,適用于高壓電力轉換和控制應用,提供高性能和可靠性。
### 15N80K5-VB MOSFET 參數說明
- **型號**: 15N80K5-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 370mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊
1. **工業控制模塊**:
- **應用**: 用于工業自動化控制系統中的高壓電機控制、變頻器和電力調節器等。
- **優勢**: 高漏源電壓和低導通電阻,能夠實現高效率的電能轉換和精確的電力調節。
2. **電力電子模塊**:
- **應用**: 適用于高壓直流-直流轉換器、電力因特網和UPS等高壓電力轉換設備。
- **優勢**: SJ_Multi-EPI技術提供了更好的溫度穩定性和電氣性能,確保設備在惡劣環境下的穩定運行。
3. **新能源領域模塊**:
- **應用**: 用于風力發電系統、光伏逆變器和電動汽車充電樁等。
- **優勢**: 高電流承載能力和低導通電阻,提供可靠的電力轉換和控制,促進新能源產業的發展。
4. **醫療設備模塊**:
- **應用**: 適用于醫療影像設備、激光治療設備和高頻電療設備等。
- **優勢**: 高性能和可靠性,確保醫療設備在長時間工作中的穩定性和安全性。
VBsemi 的 15N80K5-VB MOSFET 通過其高性能和可靠性,為各種高壓電力轉換和控制應用提供了可靠的解決方案。
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