### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar工藝制造，具有高電壓承受能力和低導通電阻。該器件封裝為TO247，適用于需要高性能和高可靠性的高壓電力轉換和控制應用。

### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 參數說明

- **型號**: 15N60L-T47-T-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 430mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊

1. **電力電子模塊**:
  - **應用**: 適用于高壓直流-直流轉換器、電力因特網和UPS等高壓電力轉換設備。
  - **優勢**: 高漏源電壓和低導通電阻，能夠在高壓環境下實現高效率的電能轉換。

2. **工業控制模塊**:
  - **應用**: 用于工業自動化控制系統中的高壓電機控制、變頻器和電力調節器等。
  - **優勢**: 高可靠性和穩定性，適應工業環境中的高溫和高壓需求，確保設備的可靠運行。

3. **新能源領域模塊**:
  - **應用**: 用于風力發電系統、光伏逆變器和電動汽車充電樁等。
  - **優勢**: 高電流承載能力和低導通電阻，提供可靠的電力轉換和控制，促進新能源產業的發展。

4. **醫療設備模塊**:
  - **應用**: 適用于醫療影像設備、激光治療設備和高頻電療設備等。
  - **優勢**: 高性能和可靠性，確保醫療設備在長時間工作中的穩定性和安全性。

VBsemi 的 15N60L-T47-T-VB MOSFET 通過其高性能和多功能性，為各種高壓電力轉換和控制應用提供了可靠的解決方案。