### 14NM65N-VB TO247 產品簡介

14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO247 封裝技術。該器件具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在柵源電壓為 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 為 430mΩ。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術制造，適用于一些需要高電壓和高功率處理能力的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 14NM65N-VB |
| 封裝 | TO247 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 430mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 18A |
| 技術 | Plannar |

### 應用領域和模塊示例

14NM65N-VB 這款 MOSFET 可適用于一些需要高電壓和高功率處理能力的應用場合，例如：

1. **電源逆變器**
  - 可用作電源逆變器中的關鍵開關元件，提供高壓電源的能量轉換和穩定性。

2. **工業高壓電源**
  - 適用于一些工業高壓電源中的關鍵開關元件，提供穩定的高壓能量轉換。

3. **電動汽車充電系統**
  - 可用作電動汽車充電系統中的關鍵開關元件，確保充電系統的高壓安全和穩定性。

4. **醫療設備**
  - 適用于一些醫療設備中的高壓開關電路，提供高效的電源控制和穩定性。

通過以上示例，可以看出 14NM65N-VB MOSFET 在一些高電壓和高功率處理能力的應用場合具備較好的性能和穩定性，是許多高壓高功率電子系統中的重要組成部分。