### 147N12N-VB TO262 產品簡介

147N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝技術。該器件具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 2.5V。在柵源電壓為 4.5V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 為 10mΩ，在柵源電壓為 10V 時為 9mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術制造，具備較低的導通電阻和較高的電流處理能力，適用于一些高功率的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
| --- | --- |
| 產品型號 | 147N12N-VB |
| 封裝 | TO262 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 2.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 100A |
| 技術 | Trench |

### 應用領域和模塊示例

147N12N-VB 這款 MOSFET 可適用于一些高功率的應用場合，例如：

1. **電源管理模塊**
  - 適用于高功率的開關電源和 DC-DC 轉換器，提供高效的能量轉換和電流控制。

2. **電機驅動**
  - 可用作電機驅動電路中的關鍵開關元件，提供高功率的電機控制功能。

3. **電動汽車充電系統**
  - 可用作電動汽車充電系統中的關鍵開關元件，確保充電系統的高功率安全和穩定性。

4. **工業高頻電源**
  - 適用于一些工業高頻電源中的關鍵開關元件，提供高頻操作和高功率能力。

通過以上示例，可以看出 147N12N-VB MOSFET 在一些高功率的應用場合具備較好的性能和穩定性，是許多高功率電子系統中的重要組成部分。