### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的147N03L-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術，具有30V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V時為18mΩ，VGS=10V時為12mΩ，具有50A的漏極電流（ID）和1.7V的閾值電壓（Vth）。

### 參數(shù)說明

- **型號**: 147N03L-VB
- **封裝**: TO263
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 20V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 1.7V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**: 
 - VGS=4.5V時：18mΩ
 - VGS=10V時：12mΩ
- **ID（漏極電流）**: 50A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**: 由于147N03L-VB具有較低的漏極-源極導通電阻和適中的漏極電流容量，適用于一些低功率的電源管理系統(tǒng)中的功率開關和控制電路。
2. **LED照明**: 在LED照明系統(tǒng)中，MOSFET通常用作開關元件。147N03L-VB可用于LED照明驅動器和控制器，提供穩(wěn)定的電流和照明控制。
3. **電池管理**: 在一些需要電池管理的應用中，該器件可用于充放電控制和電池保護電路，確保電池的安全和穩(wěn)定性。
4. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中，MOSFET通常用于各種控制電路和功率開關。147N03L-VB可用于汽車電子系統(tǒng)中的功率開關和控制電路。

以上領域和模塊僅為示例，實際應用取決于具體設計要求和環(huán)境。