### 140N10F4-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的140N10F4-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝技術。這種MOSFET在100V的漏源電壓（VDS）和20V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為3.7mΩ。該器件的額定電流（ID）為120A，采用了Trench技術，適用于高功率應用場景。

### 140N10F4-VB MOSFET 參數說明

- **型號：** 140N10F4-VB
- **封裝：** TO220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 100V
- **柵源電壓（VGS）：** 20（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 3.7mΩ
- **額定電流（ID）：** 120A
- **技術：** Trench

### 140N10F4-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源管理：**
  140N10F4-VB MOSFET適用于各種高功率的電源管理應用，如電源逆變器、電源轉換器等。其高漏源電壓和額定電流使其成為電源管理領域中的理想選擇，提高了系統的效率和可靠性。

2. **電動汽車充電樁：**
  在電動汽車充電樁中，140N10F4-VB MOSFET可用于控制充電樁的電源轉換和開關。其高漏源電壓和額定電流確保了充電樁的高效率和可靠性。

3. **工業電氣設備：**
  在工業電氣設備中，140N10F4-VB MOSFET可用于各種高功率的電氣控制系統。其高漏源電壓和低導通電阻確保了電氣設備的高效率和可靠性。

4. **太陽能逆變器：**
  在太陽能逆變器中，140N10F4-VB MOSFET可用于控制太陽能電池板的電源轉換和儲存。其高漏源電壓和額定電流使其能夠滿足逆變器的功率需求，提高了太陽能系統的效率和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的實例，140N10F4-VB MOSFET展示了其在高功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。