### 產品簡介：
13NM60N-VB是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、3.5V的閾值電壓（Vth）、300mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及15A的漏極電流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技術制造。

### 參數說明：
- **Package（封裝）：** TO247
- **Configuration（配置）：** 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 300mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 15A
- **Technology（技術）：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例：
1. **電源模塊：** 13NM60N-VB適用于各種電源模塊中的開關管，用于穩定可靠的電源開關和控制。
2. **電動汽車控制：** 適用于電動汽車中的驅動器件，用于控制電動汽車的電機，提供高效的電動汽車控制。
3. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中，可以用作功率開關器件，用于將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電。
4. **UPS（不間斷電源）：** 可以用于UPS中的開關管，提供穩定的電力轉換和控制功能。
5. **工業控制系統：** 在工業控制系統中，可以用于各種電機驅動和開關控制，提供高效的工業控制方案。

以上示例說明了13NM60N-VB在各種領域和模塊中的廣泛應用，展示了其高性能和多功能性。