### 產品簡介
VBsemi的13NM60ND-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=10V時為370mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為11A，采用多晶硅多重外延（SJ_Multi-EPI）技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**：TO252
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：370mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：11A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**：13NM60ND-VB適用于高壓電源模塊，如開關電源和UPS系統，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電動車輛**：在電動車輛中，這種器件可用于電機控制和電池管理，實現電動車輛的高效運行和長時間續航。
3. **工業控制**：適用于工業控制系統中的電源管理和電機控制，具有高效、穩定的性能，滿足工業環境的需求。
4. **充電樁**：在充電樁中，該器件可用于電源管理和充電控制，提供高效的充電服務。
5. **太陽能逆變器**：適用于太陽能逆變器中的電源逆變和電池管理，提供可靠的太陽能電力轉換和儲存。
以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。
