### 產品簡介：

13NM60ND-VB 是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），320mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及20A的漏極電流（ID）。采用了Plannar工藝。適用于中壓、中電流的應用場合。

### 參數說明：

- **Package：** TO220F
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓，±V）：** 30V
- **Vth（閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 320mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 20A
- **Technology（工藝）：** Plannar

### 應用示例：

1. **電源轉換器：** 13NM60ND-VB 可用于中壓、中電流的電源轉換器中，如電源適配器、UPS等，以提供穩定的電壓和電流輸出。

2. **照明控制：** 適用于中壓、中電流的照明控制系統中，如LED照明、舞臺照明等，實現對燈光的控制和調節。

3. **電動汽車充電樁：** 可用于中壓、中電流的電動汽車充電樁中，提供對電動車電池的充電功能。

4. **太陽能逆變器：** 適用于中壓、中電流的太陽能逆變器中，實現太陽能電池板產生的直流電到交流電的轉換。

5. **工業控制系統：** 可用于中壓、中電流的工業控制系統中，如電機控制、傳感器接口等。

以上僅為一些典型應用示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。