### 產品簡介：
13N95K3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有900V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、750mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及9A的漏極電流（ID）。適用于高壓高功率電路設計。

### 參數說明：
- **型號：** 13N95K3-VB
- **封裝：** TO247
- **構型：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 9A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊：
1. **電源開關：** 由于13N95K3-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于高壓高功率電源開關，如電源逆變器、開關電源等。
2. **電動車充放電控制：** 適用于電動車充放電控制模塊中的功率開關，提供可靠的電源控制和驅動功能。
3. **高壓直流穩壓器：** 可用于高壓直流穩壓器中的功率開關，實現對高壓直流電源的穩壓控制。
4. **工業電子：** 在工業控制領域，可用于高壓高功率電源開關和驅動器，提供高效、可靠的電源控制和驅動功能。
5. **醫療設備：** 適用于高壓高功率醫療設備中的電源開關和驅動器，提供可靠的電源控制和驅動功能。