### 產品簡介：
13N50H-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、420mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及11A的漏極電流（ID）。適用于高壓高功率電路設計。

### 參數說明：
- **型號：** 13N50H-VB
- **封裝：** TO263
- **構型：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 420mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 11A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊：
1. **電源開關：** 由于13N50H-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于高壓高功率電源開關，如電源逆變器、開關電源等。
2. **電機驅動：** 可用于電機驅動電路中的功率開關，提供可靠的電源控制和驅動功能。
3. **電源逆變器：** 適用于電源逆變器中的高壓開關，用于將直流電轉換為交流電，如太陽能逆變器、UPS逆變器等。
4. **工業電子：** 在工業控制領域，可用于高壓高功率電源開關和驅動器，提供高效、可靠的電源控制和驅動功能。
5. **汽車電子：** 在汽車電子領域，可用于汽車電子控制單元（ECU）中的電源開關和驅動器，提供可靠的電源控制和驅動功能。