### 13N50H-VB TO220 產品簡介
**產品概述**：
13N50H-VB 是一款單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，適用于高壓范圍內的功率控制應用。其封裝為TO220，具有良好的散熱性能和高可靠性。
**產品特點**：
- **高電壓承受能力**：VDS為650V，適用于高壓范圍內的應用。
- **高柵極電壓**：VGS為±30V，提供設計靈活性。
- **中閾值電壓**：Vth為3.5V，適中的驅動要求。
- **低導通電阻**：RDS(ON)為420mΩ@VGS=10V，提高效率，降低功耗。
- **中電流能力**：ID為11A，適用于中等電流應用。
### 13N50H-VB TO220 詳細參數說明
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：650V
- **柵源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：420mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流（ID）**：11A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
**電源管理**：
13N50H-VB 可用于電源管理模塊中的功率開關元件，用于實現高效率的電源轉換和穩定的電壓輸出。適用于工業電源、電力傳輸等領域。
**電動汽車充電樁**：
在電動汽車充電樁中，可用于控制充電樁的功率開關元件，適用于快充電樁、慢充電樁等領域。
**電力傳輸**：
適用于高壓直流輸電系統中的開關元件，控制電力傳輸和分配。
**電力電子**：
可用于高壓電力電子設備中的功率開關元件，如變頻器、逆變器等領域。
**醫療設備**：
在醫療設備中，可用于高壓電源開關和電機控制，如醫療影像設備、電子治療設備等領域。
通過以上應用實例，可以看出13N50H-VB 在各個領域和模塊中都有廣泛的應用前景，能夠滿足高壓范圍內的高性能和高可靠性需求。
