### 產品簡介
VBsemi的13N20-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術，具有200V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為55mΩ，具有30A的漏極電流（ID）和3V的閾值電壓（Vth）。
### 參數說明
- **型號**: 13N20-VB
- **封裝**: TO252
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 200V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 20V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**:
- VGS=10V時：55mΩ
- **ID（漏極電流）**: 30A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**: 由于13N20-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的漏極電流容量，適用于一些逆變器中的功率開關和控制電路。
2. **電動工具**: 在電動工具中，MOSFET通常用作開關元件。13N20-VB可用于電動工具的電源控制和電機驅動。
3. **LED照明**: 由于其較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，13N20-VB適用于LED照明驅動器和控制器，提供穩定的電流和照明控制。
4. **電源管理**: 在一些低功率的電源管理系統中，該器件可用于功率開關和控制電路，提高系統的能量轉換效率。
5. **工業控制**: 在工業控制領域，MOSFET通常用于各種控制電路和功率開關。13N20-VB可用于工業控制系統中的功率開關和控制電路。
以上領域和模塊僅為示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。
