--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(3X3)封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
130N03L-VB 是一款單N溝道場效應管(MOSFET),具有30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,±V),1.7V的閾值電壓(Vth),19mΩ@VGS=4.5V和13mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON)),以及30A的漏極電流(ID)。采用了Trench工藝。適用于低壓、高電流的應用場合。
### 參數說明:
- **Package:** DFN8(3X3)
- **Configuration:** Single-N-Channel
- **VDS(漏極-源極電壓):** 30V
- **VGS(柵極-源極電壓,±V):** 20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導通電阻):** 19mΩ@VGS=4.5V,13mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 30A
- **Technology(工藝):** Trench

### 應用示例:
1. **電源模塊:** 130N03L-VB 可用于低壓、高電流的電源模塊,如電源適配器、充電寶等,以提供穩定的電壓和電流輸出。
2. **電機控制:** 由于其高電流特性,適用于低壓、高電流的電機控制電路,如電動工具、電動車輛等的控制。
3. **LED驅動:** 可用于LED照明系統的電源開關,實現高效能的功率控制和調光功能。
4. **手機充電:** 適用于手機充電器等低壓、高電流的電源模塊中,提供快速充電功能。
5. **電池管理:** 可用于低壓、高電流的電池管理系統中,實現電池的充放電控制和保護。
以上僅為一些典型應用示例,實際應用取決于具體設計要求和環境。
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