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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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12P10L-TM3-T-VB一款P-Channel溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 12P10L-TM3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12P10L-TM3-T-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
12P10L-TM3-T-VB 是一款單P溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,適用于負(fù)100V電壓范圍內(nèi)的功率控制應(yīng)用。其封裝為TO251,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點**:
- **負(fù)電壓承受能力**:VDS為-100V,適用于負(fù)電壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供設(shè)計靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為-2V,易于驅(qū)動。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為234mΩ@VGS=4.5V,215mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **負(fù)電流能力**:ID為-12A,適用于負(fù)電流應(yīng)用。

### 12P10L-TM3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO251
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-100V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:234mΩ@VGS=4.5V,215mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:-12A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源逆變器**:
12P10L-TM3-T-VB 可用于電源逆變器中的功率開關(guān)元件,實現(xiàn)負(fù)電壓范圍內(nèi)的高效率逆變。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,該MOSFET可用于充電樁控制電路中的功率開關(guān)元件,用于控制充電樁的充電和停止?fàn)顟B(tài)。適用于家用充電樁、公共充電樁等領(lǐng)域。

**太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中,12P10L-TM3-T-VB 可用作開關(guān)管,實現(xiàn)太陽能電池板的電壓轉(zhuǎn)換。其負(fù)電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高逆變器的效率和穩(wěn)定性。

**工業(yè)控制系統(tǒng)**:
適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源開關(guān)和電機控制,如變頻器、UPS等領(lǐng)域。

**醫(yī)療設(shè)備**:
可用于醫(yī)療設(shè)備中的電源開關(guān)和控制,如醫(yī)用X射線設(shè)備、醫(yī)用超聲設(shè)備等領(lǐng)域。

通過以上應(yīng)用實例,可以看出12P10L-TM3-T-VB 在各個領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足負(fù)電壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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