### 產品簡介：

12N60L-TF3-T-VB 是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），680mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及12A的漏極電流（ID）。采用了Plannar工藝。適用于中低功率、中高壓的應用場合。

### 參數說明：

- **Package：** TO220F
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓，±V）：** 30V
- **Vth（閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 680mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 12A
- **Technology（工藝）：** Plannar

### 應用示例：

1. **電源模塊：** 12N60L-TF3-T-VB 可用于中低功率的電源模塊，如LED驅動電源、開關電源等，以提供穩定的電壓和電流輸出。

2. **電動工具：** 適用于中低功率電動工具的電源開關和控制電路，如電動鉆、電動錘等。

3. **UPS系統：** 可用于中低功率的UPS系統中，提供備用電源并實現電網切換功能。

4. **工業控制：** 可用于工業領域中的電源開關和控制電路，如機械控制、傳感器控制等，提供中低功率的功率控制。

5. **電動汽車充電樁：** 適用于中低功率的電動汽車充電樁中，提供穩定的充電電流和電壓。

以上僅為一些典型應用示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。