### 12N60H-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的12N60H-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝技術。這種MOSFET在600V的漏源電壓（VDS）和30V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為700mΩ。該器件的額定電流（ID）為12A，采用了Plannar技術，適用于中功率應用場景。

### 12N60H-VB MOSFET 參數說明

- **型號：** 12N60H-VB
- **封裝：** TO220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 600V
- **柵源電壓（VGS）：** 30（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 700mΩ
- **額定電流（ID）：** 12A
- **技術：** Plannar

### 12N60H-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源逆變器：**
  12N60H-VB MOSFET適用于中功率的電源逆變器模塊，如太陽能逆變器和風能逆變器。其適中的額定電流和漏源電壓使其能夠在逆變器中提供可靠的電源轉換。

2. **工業控制：**
  在工業控制領域，12N60H-VB MOSFET可用于控制各種中功率設備的電源和驅動系統。其適中的額定電流和低導通電阻確保了設備的穩定運行。

3. **電動工具：**
  在電動工具中，12N60H-VB MOSFET可用于控制電動工具的電源和驅動系統。其適中的功率特性使其能夠滿足電動工具的功率需求，提高了工具的效率和可靠性。

4. **電動汽車充電樁：**
  在電動汽車充電樁中，12N60H-VB MOSFET可用于控制充電樁的電源轉換和開關。其適中的功率特性使其能夠滿足充電樁的功率需求，提高了充電樁的效率和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的實例，12N60H-VB MOSFET展示了其在中功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。