### 12N60H-VB TO220 產品簡介
**產品概述**：
12N60H-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，采用Plannar技術制造，具有低導通電阻和高電壓承受能力。這款MOSFET封裝在TO220中，適用于需要高效率和高可靠性的中高壓電源管理應用。
**產品特點**：
- **高電壓承受能力**：VDS為600V，適用于中高壓應用。
- **高柵極電壓**：VGS為±30V，提供較大的設計靈活性。
- **低閾值電壓**：Vth為3.5V，易于驅動。
- **低導通電阻**：RDS(ON)為288mΩ@VGS=4.5V，360mΩ@VGS=10V，提高效率，降低功耗。
- **高電流能力**：ID為12A，適用于中高電流應用。
### 12N60H-VB TO220 詳細參數說明
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：600V
- **柵源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：288mΩ@VGS=4.5V，360mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流（ID）**：12A
- **技術**：Plannar
### 應用領域和模塊
**電源管理模塊**：
在中高壓電源管理模塊中，12N60H-VB 可用作功率開關元件，用于實現高效率的電源轉換和穩定的電壓輸出。其低導通電阻和高電壓承受能力，使其在電源管理模塊中具有優異的性能。
**電動車充電樁**：
在電動車充電樁中，該MOSFET可用于充電樁控制電路中的功率開關元件，用于控制充電樁的充電和停止狀態。其高電壓承受能力和低導通電阻，有助于提高充電樁的效率和穩定性。
**電力傳輸和分配**：
在電力傳輸和分配系統中，該MOSFET可用于高壓直流輸電系統中的開關元件，用于控制電力傳輸和分配。其高電壓承受能力和低導通電阻，有助于提高系統的效率和可靠性。
**工業自動化**：
在工業自動化系統中，該MOSFET可用于控制系統中的高壓設備和電路，如電機控制和電源管理。其高電壓承受能力和低導通電阻，有助于提高工業自動化系統的效率和穩定性。
**LED照明**：
在LED照明系統中，該MOSFET可用于LED驅動電路中的功率開關元件，用于控制LED燈的亮度和開關。其高電壓承受能力和低導通電阻，有助于提高LED照明系統的效率和穩定性。
通過以上應用實例，可以看出12N60H-VB MOSFET在各個領域和模塊中都有廣泛的應用前景，能夠滿足中高壓范圍內的高性能和高可靠性需求。
