### 12CN10N-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的12CN10N-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO263封裝技術。這種MOSFET在100V的漏源電壓（VDS）和20V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為23mΩ，在柵源電壓為10V時為10mΩ。該器件的額定電流（ID）為100A，采用了Trench技術，具有低導通電阻和高功率承受能力的特點，適用于高功率應用場景。

### 12CN10N-VB MOSFET 參數說明

- **型號：** 12CN10N-VB
- **封裝：** TO263
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 100V
- **柵源電壓（VGS）：** 20（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 2.5V
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V：** 23mΩ
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 10mΩ
- **額定電流（ID）：** 100A
- **技術：** Trench

### 12CN10N-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源管理：**
  12CN10N-VB MOSFET適用于高功率的電源管理模塊，如數據中心的電源和通信設備的電源。其低導通電阻和高功率承受能力使其能夠處理大功率電源管理需求。

2. **電動汽車：**
  在電動汽車中，12CN10N-VB MOSFET可用于控制電動汽車的電機。其高額定電流和低導通電阻使其能夠高效地控制電動汽車的驅動系統，確保車輛的穩定運行。

3. **工業自動化：**
  在工業自動化領域，12CN10N-VB MOSFET可用于控制各種工業設備的電源和驅動系統。其高功率承受能力和低導通電阻確保了工業設備的穩定運行，提高了生產效率。

4. **太陽能逆變器：**
  在太陽能逆變器中，12CN10N-VB MOSFET可用于控制逆變器的開關。其高漏源電壓和低導通電阻使其能夠在太陽能系統中提供可靠的電源轉換，提升了太陽能系統的效率和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的實例，12CN10N-VB MOSFET展示了其在高功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。