### 125N2G-VB TO263 產品簡介

125N2G-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO263 封裝技術。該器件具有 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。在柵源電壓為 4.5V 和 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 分別為 3.2mΩ 和 2.3mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術制造，具備極低的導通電阻和高電流處理能力，適用于高性能電子系統。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 125N2G-VB |
| 封裝 | TO263 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3.2mΩ @ VGS=4.5V, 2.3mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 150A |
| 技術 | Trench |

### 應用領域和模塊示例

125N2G-VB 這款 MOSFET 可廣泛應用于各種領域和模塊中，例如：

1. **電源管理模塊**
  - 適用于功率因數校正 (PFC)、開關電源和 DC-DC 轉換器等電源管理模塊，提供高效的能量轉換和電流控制。

2. **電動工具**
  - 在高性能電動工具中，如電動鉆、電動鋸等，通過其高電流處理能力和低導通電阻，提供穩定可靠的電動工具性能。

3. **車載電子**
  - 在汽車和其他車輛的電子系統中，125N2G-VB 可用作電池管理系統 (BMS) 和車載充電系統的關鍵元件，確保電池和充電系統的安全和穩定性。

4. **電機控制**
  - 該器件可用于電機驅動器和電機控制系統中的開關電路，支持高頻操作和大電流處理，提升電機的性能和效率。

5. **高頻開關電路**
  - 在需要高頻開關操作的電子系統中，125N2G-VB 可用作關鍵開關元件，提供高效的能量轉換和電流控制。

通過以上示例，可以看出 125N2G-VB MOSFET 具備廣泛的應用領域和模塊，是許多高性能電子系統中的重要組成部分。