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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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11WST8205-VB一款N+N-Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 11WST8205-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N+N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 11WST8205-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的11WST8205-VB是一款雙N溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝技術(shù)。這種MOSFET在20V的漏源電壓(VDS)和20V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開態(tài)電阻(RDS(ON))在柵源電壓為2.5V時(shí)為28mΩ,在柵源電壓為4.5V時(shí)為24mΩ。該器件的額定電流(ID)為6A,采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于中低功率的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 11WST8205-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號(hào):** 11WST8205-VB
- **封裝:** SOT23-6
- **配置:** 雙N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 20V
- **柵源電壓(VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 0.5~1.5V
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=2.5V:** 28mΩ
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 24mΩ
- **額定電流(ID):** 6A
- **技術(shù):** Trench

### 11WST8205-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理:**
  11WST8205-VB MOSFET適用于中低功率的電源管理模塊,如手機(jī)充電器和電池管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高效率使其能夠處理小型電子設(shè)備的電源管理需求。

2. **電動(dòng)工具:**
  在電動(dòng)工具中,如電動(dòng)螺絲刀和電動(dòng)扳手,11WST8205-VB MOSFET可用于控制電動(dòng)機(jī)的電流。其高額定電流和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制電動(dòng)工具的運(yùn)行。

3. **LED照明:**
  在LED照明系統(tǒng)中,11WST8205-VB MOSFET可用于控制LED燈珠的電流。其高可靠性和低導(dǎo)通電阻確保了LED照明系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命。

4. **汽車電子:**
  在汽車電子系統(tǒng)中,如車載充電器和車載電源管理系統(tǒng),11WST8205-VB MOSFET可用于控制電源的開關(guān)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實(shí)例,11WST8205-VB MOSFET展示了其在中低功率需求場(chǎng)景中的適用性,成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。

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