### 產(chǎn)品簡介

**型號：11NM60ND-VB TO252**

VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用先進的SJ_Multi-EPI技術設計，具有低導通電阻和高電壓承受能力，適用于各種高壓高功率應用。

### 參數(shù)說明

- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：370mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：11A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電源逆變器**：
  - **家用逆變器**：11NM60ND-VB適用于家用逆變器中的高壓開關，如家庭太陽能電池系統(tǒng)、UPS系統(tǒng)等，提供可靠的電能轉(zhuǎn)換功能。
  - **工業(yè)逆變器**：在工業(yè)級逆變器中，這款MOSFET可以作為高壓開關器件，用于各種工業(yè)設備的電能轉(zhuǎn)換和管理。

2. **電動汽車充電樁**：
  - **直流充電樁**：11NM60ND-VB可用作直流充電樁中的高壓開關，確保電動汽車的快速充電和高效能轉(zhuǎn)換。
  - **交流充電樁**：在交流充電樁中，這款MOSFET可以用于高壓開關，提供高效的電能轉(zhuǎn)換，適用于城市和道路充電設施。

3. **電源管理**：
  - **高壓開關電源**：適用于各種高壓開關電源中的高壓開關器件，如服務器電源、工控電源等，提供穩(wěn)定可靠的電源管理功能。
  - **電源逆變器**：在電源逆變器中，這款MOSFET可以用于高壓開關，提供高效能轉(zhuǎn)換和電能管理，適用于各種電源系統(tǒng)。

4. **醫(yī)療設備**：
  - **X射線發(fā)生器**：11NM60ND-VB可用于X射線發(fā)生器中的高壓開關，確保X射線發(fā)生器的穩(wěn)定和高效能工作。
  - **醫(yī)療成像設備**：在醫(yī)療成像設備中，這款MOSFET可以用于高壓開關，提供高質(zhì)量的成像和穩(wěn)定的設備工作。

通過其優(yōu)秀的電氣性能和廣泛的應用范圍，VBsemi的11NM60ND-VB MOSFET為各種高壓高功率應用提供了可靠和高效的解決方案。