## 產品簡介：

VBsemi的MOSFET產品11NM60ND-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Plannar技術，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和12A的漏極電流（ID）能力。該產品在TO220F封裝中提供，適用于需要中等電壓和功率的應用。

## 參數說明：

- 封裝：TO220F
- 構型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：680mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：12A

- 技術：Plannar

## 應用領域和模塊：

1. **家電**：由于11NM60ND-VB具有適中的電壓和電流能力，可用于家電產品中的開關電源、電機驅動器等模塊，提供穩定的電力輸出。

2. **照明應用**：這款MOSFET適用于LED驅動器和其他照明電源，能夠提供中等功率的功率轉換和可靠性。

3. **電源管理**：在一般的電源管理應用中，11NM60ND-VB可以用于穩壓器、DC-DC轉換器等模塊，支持穩定的電力輸出。

4. **工業控制**：在工業控制設備中，這款MOSFET可用于逆變器、電源管理單元等模塊，提供可靠的功率控制和轉換。

5. **醫療設備**：由于11NM60ND-VB具有中等的功率能力，可用于醫療設備中的電源管理和功率控制模塊，提供可靠的電力支持。

以上是對11NM60ND-VB MOSFET產品的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的介紹。