### 產品簡介

VBsemi的11N80C3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有高達800V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為370mΩ，具有15A的漏極電流（ID）和3.5V的閾值電壓（Vth）。

### 參數說明

- **型號**: 11N80C3-VB
- **封裝**: TO247
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 800V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**: 
 - VGS=10V時：370mΩ
- **ID（漏極電流）**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電力傳輸與分配**: 由于其高電壓和電流特性，11N80C3-VB可用于電力傳輸與分配系統中的高壓開關和線路保護器。
2. **工業控制**: 在工業控制系統中，該器件可用于功率開關和電流控制，例如在電機控制和工業機器人中。
3. **電源模塊**: 該MOSFET適用于要求高電壓和電流的電源模塊，如開關電源和穩壓器。
4. **光伏逆變器**: 在光伏逆變器中，11N80C3-VB可用作功率開關，實現光伏電能的高效轉換和逆變控制。
5. **電動汽車充電器**: 由于其高電壓和電流容量，該器件適用于電動汽車充電器中的功率開關和充電控制。

以上示例僅說明了11N80C3-VB可能應用的部分領域和模塊，具體應用取決于設計要求和環境。