## 產品簡介：
VBsemi的MOSFET產品11N60C3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Plannar技術，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和18A的漏極電流（ID）能力。該產品在TO247封裝中提供，適用于需要高電壓和高性能的功率電子應用。
## 參數說明：
- 封裝：TO247
- 構型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：430mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：18A
- 技術：Plannar
## 應用領域和模塊：
1. **電動汽車**：由于11N60C3-VB具有高漏極電壓和較低的導通電阻，適用于電動汽車中的功率控制模塊，如電機驅動器和電池管理系統。
2. **工業電源**：在工業電源系統中，這款MOSFET可用于開關電源模塊，如變頻器、UPS和電源轉換器，提供高效率和可靠性。
3. **太陽能逆變器**：11N60C3-VB適用于太陽能逆變器中的功率開關模塊，支持將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電。
4. **電力傳輸**：在高壓直流輸電系統中，11N60C3-VB可用于控制和保護電力系統的穩定性和效率。
5. **電焊設備**：這款MOSFET還可用于電焊設備中的功率控制單元，提供高功率密度和可靠性。
以上是對11N60C3-VB MOSFET產品的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的介紹。
