--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:11N50G-TA3-T-VB TO220**
VBsemi的11N50G-TA3-T-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用先進的SJ_Multi-EPI技術(shù)設(shè)計,具有低導通電阻和高電壓承受能力,適用于各種高壓功率應(yīng)用。
### 參數(shù)說明
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源逆變器**:
- **工業(yè)用途**:11N50G-TA3-T-VB適用于工業(yè)級電源逆變器中的高壓開關(guān),如變頻空調(diào)、變頻電機等,能夠提供可靠的高壓開關(guān)功能。
- **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,這款MOSFET可以作為高壓開關(guān)器件,提供高效的太陽能電能轉(zhuǎn)換,適用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)。
2. **電動汽車充電樁**:
- **直流快充樁**:11N50G-TA3-T-VB可以用作直流快充樁中的高壓開關(guān),確保電動汽車的快速充電和高效能轉(zhuǎn)換。
- **交流充電樁**:在交流充電樁中,這款MOSFET可以用于高壓開關(guān),提供高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于城市和道路充電設(shè)施。
3. **電源管理**:
- **高壓開關(guān)電源**:適用于各種高壓開關(guān)電源中的高壓開關(guān)器件,如服務(wù)器電源、工控電源等,提供穩(wěn)定可靠的電源管理功能。
- **電源逆變器**:在電源逆變器中,這款MOSFET可以用于高壓開關(guān),提供高效能轉(zhuǎn)換和電能管理,適用于各種電源系統(tǒng)。
4. **醫(yī)療設(shè)備**:
- **X射線發(fā)生器**:11N50G-TA3-T-VB可用于X射線發(fā)生器中的高壓開關(guān),確保X射線發(fā)生器的穩(wěn)定和高效能工作。
- **醫(yī)療成像設(shè)備**:在醫(yī)療成像設(shè)備中,這款MOSFET可以用于高壓開關(guān),提供高質(zhì)量的成像和穩(wěn)定的設(shè)備工作。
通過其優(yōu)秀的電氣性能和廣泛的應(yīng)用范圍,VBsemi的11N50G-TA3-T-VB MOSFET為各種高壓高功率應(yīng)用提供了可靠和高效的解決方案。
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