### 產品簡介
VBsemi的11N3L-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，具有30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.7V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=4.5V時為19mΩ，在VGS=10V時為13mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為30A，采用溝道技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**：DFN8(3X3)
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：19mΩ @ VGS=4.5V；13mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：30A
- **技術**：溝道
### 應用領域和模塊舉例
1. **便攜設備**：11N3L-VB適用于便攜設備的電源管理模塊，如筆記本電腦、平板電腦和智能手機等，有助于提高電池壽命和節能。
2. **LED驅動**：在LED照明應用中，該器件可用作LED驅動器的開關裝置，提供高效的電能轉換和穩定的照明效果。
3. **電池充放電保護**：11N3L-VB可用于電池充放電保護電路，確保電池在充電和放電過程中的安全性和穩定性。
4. **工業控制**：在工業控制系統中，該器件可用于電機驅動和開關電路，提供可靠的性能和長期穩定性。
5. **汽車電子**：在汽車電子系統中，這種MOSFET可用于汽車燈光控制、電動汽車電池管理等應用，提高汽車電子系統的效率和可靠性。
以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。
