### 11N03LA-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的11N03LA-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220封裝技術。這種MOSFET在30V的漏源電壓（VDS）和20V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為10mΩ，在柵源電壓為10V時為7mΩ。該器件的額定電流（ID）為70A，采用了先進的Trench技術，具有低導通電阻和高效率的特點，非常適合高功率、高頻率的應用場景。

### 11N03LA-VB MOSFET 參數說明

- **型號：** 11N03LA-VB
- **封裝：** TO220
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 30V
- **柵源電壓（VGS）：** 20（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V：** 10mΩ
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 7mΩ
- **額定電流（ID）：** 70A
- **技術：** Trench

### 11N03LA-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源管理：**
  11N03LA-VB MOSFET適用于電源管理模塊，特別是在直流-直流轉換器和不間斷電源（UPS）中。其高額定電流和低導通電阻使其能夠處理高功率轉換需求，提升系統的效率和穩定性。

2. **電動車輛：**
  在電動車輛的電動驅動系統中，11N03LA-VB MOSFET可用于控制電動機的電流。其高額定電流和低導通電阻使其能夠有效地控制電機的運行，提高電動車輛的性能和效率。

3. **工業自動化：**
  在工業自動化設備中，11N03LA-VB MOSFET可用于控制各種電動執行器，如電機和氣缸。其高可靠性和高效率使其成為工業自動化系統的重要組成部分。

4. **電源逆變器：**
  在太陽能逆變器和電網逆變器中，11N03LA-VB MOSFET可用于轉換直流電為交流電。其低導通電阻和高效率使其能夠提供穩定的電源輸出，提高逆變器的性能和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的實例，11N03LA-VB MOSFET展示了其在多種高功率和高效能需求場景中的適用性，成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。