### 1. 產(chǎn)品簡介

VBsemi的10WNMD2160-VB是一款雙N溝道和雙P溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。它具有20V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），和0.5~1.5V的閾值電壓（Vth）。這款MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）為28mΩ（在VGS=2.5V時）和24mΩ（在VGS=4.5V時），最大漏極電流（ID）為6A。它采用了Trench技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊。

### 2. 參數(shù)說明

- 封裝：SOT23-6
- 構(gòu)型：雙N溝道和雙P溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：20V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：0.5~1.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS=2.5V，24mΩ @ VGS=4.5V
- 最大漏極電流（ID）：6A
- 技術(shù)：Trench

### 3. 應用領(lǐng)域和模塊

- **移動設備**：由于10WNMD2160-VB具有較低的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，它適用于手機、平板電腦和其他便攜式設備的電源管理和功率控制。
- **電源模塊**：在各種電源模塊中，這款MOSFET可以用于功率開關(guān)和電源調(diào)節(jié)器。
- **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于控制燈光、電動窗戶和其他電氣設備。
- **工業(yè)控制**：可用于各種工業(yè)控制應用，如PLC（可編程邏輯控制器）、工業(yè)自動化和機器人控制。

這些是一些10WNMD2160-VB可以應用的領(lǐng)域和模塊的例子，但實際上，它在各種低電壓和低功率應用中都有潛在的用途。