--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**10P6F6-VB MOSFET** 是一款單 N-溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件具有60V 的漏極-源極電壓(VDS),在正負20V 的柵極-源極電壓(VGS)下工作。閾值電壓(Vth)為1.7V,漏極-源極導通電阻(RDS(ON))為72mΩ(在VGS=10V 時),漏極電流(ID)為20A。采用 Trench 技術制造,適用于各種領域和模塊。
### 參數說明
- **封裝類型:** TO220
- **器件類型:** 單 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓):** 60V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(漏極-源極導通電阻):** 72mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 20A
- **技術:** Trench

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理:** 10P6F6-VB 可以用于各種電源管理模塊,如 DC-DC 變換器和 AC-DC 變換器,實現高效的電能轉換和穩定的電源供應。
2. **電動車輛控制:** 在電動汽車和電動自行車的電源管理系統中,可用作開關器件,實現電動車輛的高效控制和運行。
3. **LED 燈控制:** 在 LED 燈控制系統中,可以用作開關器件,實現 LED 燈的亮度調節和控制。
4. **工業自動化:** 適用于工業控制系統中的開關電源模塊,實現工廠設備的高效控制和運行。
5. **電池管理:** 在各種電池管理系統中,可用于電池充放電控制模塊,提高電池的使用效率和壽命。
以上是對 10P6F6-VB MOSFET 的產品簡介、參數說明以及在各個領域和模塊中的應用示例。
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