### 10NM60N-VB 產(chǎn)品簡介
10NM60N-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，具有高壓（650V）和適中電流（9A）特性。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造，適用于各種高壓應(yīng)用場合。
### 詳細參數(shù)說明
- **包裝類型（Package）**：TO252
- **配置（Configuration）**：單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：30V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：9A
- **技術(shù)特點（Technology）**：SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用示例
- **電源管理**：適用于開關(guān)電源和逆變器等高壓電源管理電路中。
- **照明**：可用于 LED 驅(qū)動電路中的高壓開關(guān)。
- **工業(yè)控制**：適用于需要高壓開關(guān)的工業(yè)控制系統(tǒng)。
這些示例只是 10NM60N-VB 在各個領(lǐng)域和模塊中的一部分應(yīng)用，具體應(yīng)用取決于具體設(shè)計需求。
