### 產品簡介

**10NM60ND-VB MOSFET** 是一款單 N-溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝。該器件具有650V 的漏極-源極電壓（VDS），在正負30V 的柵極-源極電壓（VGS）下工作。閾值電壓（Vth）為3.5V，漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為680mΩ（在VGS=10V 時），漏極電流（ID）為12A。采用 Plannar 技術制造，適用于各種領域和模塊。

### 參數說明

- **封裝類型：** TO220F
- **器件類型：** 單 N-溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±30V
- **Vth（閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）：** 680mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 12A
- **技術：** Plannar

### 應用領域和模塊示例

1. **電源供應模塊：** 10NM60ND-VB 可以用于工業電源系統中的開關電源模塊，提供高效的電能轉換和穩定的電源供應。
2. **電動汽車充電樁：** 適用于電動汽車充電樁中的開關電源模塊，實現充電過程的控制和管理。
3. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中的 DC-AC 轉換器模塊中，可用于提高能量轉換效率。
4. **電力傳輸：** 可以用于高壓直流輸電系統中的開關電源模塊，實現高效率的電能傳輸和分配。
5. **工業自動化：** 適用于工業控制系統中的開關電源模塊，實現工廠設備的高效控制和運行。

以上是對 10NM60ND-VB MOSFET 的產品簡介、參數說明以及在各個領域和模塊中的應用示例。