**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的10N80H-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET，具有800V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為770mΩ，最大漏極電流（ID）為7A，采用SJ_Multi-EPI技術(shù)。

**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- 封裝：TO220F
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：800V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻RDS(ON)：770mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：7A
- 技術(shù)：SJ_Multi-EPI

**適用領(lǐng)域和模塊舉例：**
- 電源逆變器：10N80H-VB具有較高的漏極-源極電壓和較低的導(dǎo)通電阻，適用于高壓、高功率的電源逆變器中，如太陽能逆變器、風(fēng)能逆變器等模塊。
- 工業(yè)電機(jī)控制：工業(yè)電機(jī)控制需要耐受高壓和高電流的元件，10N80H-VB可用于工業(yè)電機(jī)控制中的電源開關(guān)、速度調(diào)節(jié)等模塊。
- 高壓開關(guān)電源：在需要高壓開關(guān)的場合，如醫(yī)療設(shè)備、通信設(shè)備等，10N80H-VB可用于高壓開關(guān)電源中的開關(guān)元件。
- 汽車電子：汽車電子中需要耐受高電壓和高溫的元件，10N80H-VB可用于汽車電子中的直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動車充電樁等模塊。

以上是對10N80H-VB產(chǎn)品的簡介、詳細(xì)參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的舉例說明。