### 產(chǎn)品簡介
10N10-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET，采用了槽溝工藝（Trench Technology）。它具有100V 的漏極-源極電壓（VDS），20V 的門極-源極電壓（VGS，±V），1.8V 的門極閾值電壓（Vth）。在 VGS=10V 時，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為114mΩ。該器件能夠提供最大15A 的漏極電流（ID），并采用 TO252 封裝。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 10N10-VB
- **封裝**: TO252
- **結(jié)構(gòu)**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 100V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 20V（±V）
- **Vth (門極閾值電壓)**: 1.8V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**: 114mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 15A
- **工藝**: 槽溝工藝（Trench）

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**: 10N10-VB 可以用于電源管理模塊中，如用作開關(guān)電源的主開關(guān)器件。
2. **馬達(dá)控制**: 在馬達(dá)控制領(lǐng)域，該器件可以用作馬達(dá)控制器的開關(guān)器件，實現(xiàn)對馬達(dá)的啟停和速度控制。
3. **照明應(yīng)用**: 在 LED 照明領(lǐng)域，10N10-VB 可以用作 LED 燈的開關(guān)器件，控制 LED 的亮度和通斷。

以上示例僅代表了部分應(yīng)用場景，實際上，該產(chǎn)品還適用于其他需要高電壓、低導(dǎo)通電阻的領(lǐng)域和模塊中。