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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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10N03L-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號(hào): 10N03L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
10N03L-VB是一款TO220封裝的單路N溝道MOSFET。它具有30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,正負(fù)值),1.7V的閾值電壓(Vth),在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為4mΩ(RDS(ON)),在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為3mΩ(RDS(ON)),以及120A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用槽溝道(Trench)技術(shù)制造。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- 封裝:TO220
- 極性:N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):30V
- 柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):1.7V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):4mΩ @ VGS=4.5V,3mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):120A
- 技術(shù):槽溝道(Trench)

**適用領(lǐng)域和模塊:**
- 電源管理:10N03L-VB適用于需要低電壓和大電流的電源管理,例如電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)等。
- 電機(jī)控制:由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,實(shí)現(xiàn)高效率的電機(jī)控制。
- LED驅(qū)動(dòng):在需要高電流驅(qū)動(dòng)LED的應(yīng)用中,10N03L-VB可以用作LED驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高亮度的LED照明。
- 逆變器:對(duì)于需要高效率的逆變器,10N03L-VB可以用作逆變器的關(guān)鍵元件,實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

以上只是一些例子,實(shí)際上,10N03L-VB還可以用于許多其他領(lǐng)域和模塊,具體取決于應(yīng)用的要求和設(shè)計(jì)的需要。

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