10B8-VB是一款SOT23-6封裝的單N溝道MOSFET。它具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和1.8V的閾值電壓（Vth）。在不同的柵極-源極電壓下，其導通電阻（RDS(ON)）分別為105mΩ（@VGS=4.5V）和95mΩ（@VGS=10V），最大漏極電流（ID）為3.2A。這款MOSFET采用槽溝技術制造。

以下是關于10B8-VB的詳細參數說明：

- **封裝類型（Package）**：SOT23-6
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：100V
- **柵極-源極電壓（VGS，±V）**：20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：105mΩ @ VGS=4.5V, 95mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：3.2A
- **技術**：槽溝

關于該產品在哪些領域和模塊上的應用，以下是一些例子：

1. **電源管理**：由于其適中的漏極-源極電壓和導通電阻，10B8-VB適用于低功率的開關電源和變換器。
2. **電池保護**：在需要對電池進行保護的應用中，這款MOSFET可以用于開關電路，以確保電池在安全范圍內工作。
3. **醫療設備**：在需要小尺寸和低功耗的醫療設備中，10B8-VB可以用作開關器件，用于控制和管理電源。
4. **LED照明**：對于需要低功率和低熱量的LED照明系統，這款MOSFET可以用于LED驅動器中的開關器件。

這些只是一些例子，實際上，10B8-VB可以適用于需要低功率、適中電壓和電流、低導通電阻的各種應用場景。