10A8-VB是一款SOT23-6封裝的單N溝道MOSFET。它具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.8V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導通電阻（RDS(ON)）為105mΩ，在VGS=10V時的導通電阻（RDS(ON)）為95mΩ，最大漏極電流（ID）為3.2A。該產品采用Trench技術。
詳細參數說明如下：
- 產品型號：10A8-VB
- 封裝：SOT23-6
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：100V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 導通電阻（RDS(ON)）：105mΩ @ VGS=4.5V；95mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：3.2A
- 技術：Trench
該產品適用于以下領域和模塊：
1. 小功率開關電源：如手機充電器、便攜式電子設備等。
2. DC-DC轉換器：用于電源管理、信號處理等模塊。
3. 低功率驅動器：如LED驅動器、小型電機控制器等。
以上是10A8-VB MOSFET的簡介、詳細參數說明和適用領域和模塊的語段形式舉例。
