**產品簡介：**
100N06LS3-VB是一款DFN8(5X6)封裝的單路N溝道MOSFET。它具有60V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值），2.5V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導通電阻為13mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V時的導通電阻為10mΩ（RDS(ON)），以及50A的漏極電流（ID）。該產品采用槽溝道（Trench）技術制造。

**詳細參數說明：**
- 封裝：DFN8(5X6)
- 極性：N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：60V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：13mΩ @ VGS=4.5V，10mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：50A
- 技術：槽溝道（Trench）

**適用領域和模塊：**
- 電源管理：100N06LS3-VB適用于需要高電壓和中等電流的電源管理，例如電源逆變器、電源開關等。
- 電機控制：由于其高漏極電流和低導通電阻，這款MOSFET可以用于電機驅動電路中，實現高效率的電機控制。
- 汽車電子：在汽車電子系統中，這款MOSFET可以用于電池管理系統、電動汽車驅動系統等。
- 工業控制：在需要高功率開關的工業控制系統中，100N06LS3-VB可以用作開關管，實現高效率的能量轉換。

以上只是一些例子，實際上，100N06LS3-VB還可以用于許多其他領域和模塊，具體取決于應用的要求和設計的需要。