### 產品簡介
09N70I-A-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET，采用了平面工藝（Plannar Technology）。它具有650V 的漏極-源極電壓（VDS），30V 的門極-源極電壓（VGS，±V），3.5V 的門極閾值電壓（Vth）。在 VGS=10V 時，其導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ。該器件能夠提供最大10A 的漏極電流（ID），并采用 TO220F 封裝。

### 詳細參數說明
- **型號**: 09N70I-A-VB
- **封裝**: TO220F
- **結構**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 650V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 30V（±V）
- **Vth (門極閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**: 830mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 10A
- **工藝**: 平面工藝（Plannar）

### 應用領域和模塊示例
1. **電源模塊**: 09N70I-A-VB 可以用于電源開關模塊，如用作開關電源的主開關器件。
2. **電動汽車**: 在電動汽車充電樁中，該器件可以用作高壓開關，實現電能的轉換和控制。
3. **工業控制**: 在工業控制領域，09N70I-A-VB 可以應用于高壓開關電源、逆變器等模塊中。

除了以上示例，該產品還適用于其他需要高電壓、高電流開關的領域和模塊中。