09N65GX-VB是一款TO220F封裝的單路N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及3.5V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=10V時的導通電阻RDS(ON)為830mΩ，最大漏極電流ID為10A。采用平面工藝（Plannar）制造。

產品簡介：
09N65GX-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于要求中等功率和可靠性的應用場合。其TO220F封裝設計使其易于安裝和散熱，廣泛應用于各種領域和模塊中。

詳細參數說明：
- 封裝：TO220F
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：10A
- 工藝技術：平面工藝（Plannar）

應用示例：
1. 電源模塊：用于中等功率的開關電源和逆變器。
2. 照明應用：用于LED驅動器和電子鎮流器。
3. 工業控制：用于工業自動化和機械設備控制中的功率開關。
4. 汽車電子：用于汽車電子系統中的電源管理和驅動控制。

這些示例表明，09N65GX-VB適用于需要中等電壓和電流驅動的各種應用領域和模塊。